Superkritiskā vafeļu tīrīšanas iekārta

Tā kā integrēto shēmu lielums pakāpeniski samazinās, ierīces struktūrai ir nepieciešama augstāka malu attiecība . virsmas spraiguma dēļ, ir grūti parastā mitrai tīrīšanai iekļūt vafeles dziļajā rievas struktūrā, un tas nevar atbilst smalkāku līniju un augstas ... prasībām}} prasības un augstas ...} prasības un augstas ...} prasības un augstas...}}}}}}}}}}}} ...

Nosūtīt pieprasījumu

Apraksts

Supercritical wafer cleaning technology equipment

Tā kā semikondu tehnoloģiju mezgli turpina virzīties uz 7 nm, 5 nm un mazākiem izmēriem, vafeļu virsmas tīrīšanas tehnoloģija saskaras ar nepieredzētiem izaicinājumiem . Tradicionālie mitrā tīrīšanas procesi uzrāda pieaugošus ierobežojumus nanoscale daļiņu noņemšanai un plēves piesārņotājiem, kā arī tādiem ķīmiskiem atkritumiem un augstu ūdens patēriņu. Problēmas, izmantojot superkritisko šķidrumu unikālās fizikāli ķīmiskās īpašības .

Superkritisko vafeļu tīrīšanas tehnoloģijas īpašības

Mūsu uzņēmumam ir bagāta pieredze superkritiskā oglekļa dioksīda šķidruma tehnoloģijā un aprīkojumā, un izstrādātajām superkritiskajām vafeļu tīrīšanas iekārtām ir šādas īpašības:

01/

Stampas ātras atveres tīrīšanas rievas struktūras dizains un manuāla skrūvju bloķēšanas struktūra, salīdzinot ar viegli darbināmu;

02/

Neatkarīgs iekšējā tīrīšanas statīva dizains var izpildīt dažādu izmēru tīrīšanas prasības;

03/

Pielāgots adsorbcijas torņa struktūras dizains, var adsorbēt un atgūt ķīmiskos līdzekļus;

04/

Pielāgots augsts tīrs tērauda materiāls, lai atbilstu pusvadītāju vafeļu materiālu prasību īpašībām;

05/

Funkcijas filtra dizains, augsta filtrācijas precizitāte, lai izvairītos no smalkām daļiņām, var kaitēt vafelam;

06/

Pilna automātiskā vadība .

Mūsu uzņēmums var arī pielāgot aprīkojuma projektēšanu un ražošanu atbilstoši klientu īpašībām .

Galvenie tehniskie parametri

Nē .	nosaukt	Parametrs
1	Tīrīšanas tvertnes iekšējais diametrs	110 mm līdz 400 mm
2	Vafeļu tīrīšanas specifikācijas	4 ", 6", 8 "un 12"
3	Maksimālais darba spiediens	40MPA
4	Maksimālā temperatūra	150 grādu
5	Materiāls	Augsts tīrs tērauds (EP)
6	CO2 filtrēšanas precizitāte	Ne mazāk kā 0,08um
7	Kontroles režīms	Pilnībā automātiska
8	Apstrādāto vafeļu skaits	lielāks par 5

Superkritisko vafeļu tīrīšanas aprīkojuma pamatkomponenti

CO₂ piegādes sistēma

1. uzglabāšanas tvertne (šķidruma co₂)

2. augsta spiediena sūknis (spiediens uz superkritisko stāvokli)

3. sildītājs (uztur superkritisko temperatūru)

Tīrīšanas kamera

1. izturīgs pret augstu spiedienu (50 MPa vai augstāks)

2. Vafera turētājs (nodrošina vafeles vietā)

3. šķidruma sprauslas (nodrošina vienotu tīrīšanu)

Temperatūras kontroles sistēma

1. sildīšana (uztur superkritisko temperatūru)

2. dzesēšana (pēc procesa atdzesē sistēmu)

Atkopšanas sistēma

1. separators (atdala co₂ un piesārņotājus)

2. attīrīšanas vienība (pārstrāde co₂)

Vadības sistēma

1. automātiski regulē spiedienu, temperatūru un plūsmas ātrumu

2. uzrauga tīrīšanas procesu

Pašreizējie lietojumi pusvadītāju ražošanā

Pašlaik superkritiskā vafeļu tīrīšanas iekārta ir atradusi sākotnējās lietojumprogrammas uzlabotās loģikas mikroshēmās un atmiņu ražošanā . Vadošie globālie pusvadītāju ražotāji, piemēram, TSMC un Samsung, ir sākuši izmantot šo tehnoloģiju ražošanas līnijās, galvenokārt kritiskā slāņa tīrīšanas procesiem .}}}}}}}}}}}}}}}}. {2}.

Superkritiskā vafeļu tīrīšanas tehnoloģija atspoguļo pusvadītāju ražošanas tīrīšanas procesu {. tā augstākā tīrīšanas veiktspēju un nozīmīgus ekonomiskos un vides ieguvumus turpmākos virzienam padara to neatbilstīgu nanoscale tīrīšanas izaicinājumos, ar kuriem saskaras pusvadītāju nozares .. Pusvadītāju ražošanas rūpnīcas kā tehnoloģija progresē un rūpnieciskā ekosistēma uzlabo .

Populāri tagi: Superkritiskā vafeļu tīrīšanas iekārta, Ķīna, ražotāji, piegādātāji, rūpnīca, pielāgota